91污污污快蝕刻為你解說濕式蝕刻加工技術

初（chū）始的蝕刻（kè）加工技術是利用特定的溶液與薄膜間（jiān）所進行的化學反應來去除薄膜未被光阻覆蓋的部分，而達到蝕（shí）刻（kè）加工的目的，這種蝕刻方式也就是所謂的（de）濕式蝕刻。因為濕式蝕刻是利用（yòng）化學反應來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性，因此濕式蝕刻過程為等向性，一般而（ér）言（yán）此方式不足以定（dìng）義3微米以下的線寬，但對於3微（wēi）米以上的（de）線（xiàn）寬定義（yì）濕式蝕刻仍然為一可選擇采用的技術。

91污污污快蝕刻認為濕式蝕刻之所以（yǐ）在微電子製作過程中被廣泛的采用乃由（yóu）於其（qí）具有低成本、高可靠性（xìng）、高產能及優良的蝕刻選擇比等優點。但相對於幹式蝕刻，除了無法（fǎ）定義較細的線（xiàn）寬外，濕式蝕刻仍有以下的缺點：1) 需花費較高成本的（de）反應溶（róng）液及去離子水;2) 化學藥品處理時人員所遭遇的安全（quán）問題;3) 光阻附著性問題;4) 氣泡形成及化學蝕刻液無法完（wán）全與晶圓表麵接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻;5) 廢氣及潛在的爆炸性。

濕式蝕刻過程可分為三個步驟：1) 化學蝕刻液擴散至待蝕刻材料之表麵;2) 蝕刻液與待蝕刻材料發生化學反應; 3) 反應後之產物從蝕刻材料之表麵擴散至溶液（yè）中，並（bìng）隨溶液（yè）排出。三個步驟中進行較（jiào）慢者為速率控製步驟，也就是說（shuō）該（gāi）步驟的反應速率即為整個反應之速率。

大部份的蝕刻（kè）過程包含了一個或（huò）多個化學反應（yīng）步（bù）驟，各種形態的反應都有可能發生，但常遇到的反應是將（jiāng）待蝕刻層表麵先予以氧化，再將此氧（yǎng）化層溶解，並隨溶液排出，如此反複進行以達到蝕刻的效果。如蝕刻矽、鋁時即是利用此種化學反（fǎn）應方式。

濕式蝕刻的速率通常可藉（jiè）由（yóu）改變溶液（yè）濃度（dù）及溫度予（yǔ）以（yǐ）控製。溶液濃度可改變反應物（wù）質到達（dá）及離開待蝕刻物表（biǎo）麵的速率，一般而言，當溶（róng）液濃度增加時，蝕刻速率將（jiāng）會提高。而（ér）提高溶液溫度（dù）可加速化學反應（yīng）速率，進而加速蝕刻速率（lǜ）。

除了溶液的選（xuǎn）用外，選擇適用的屏蔽物質亦（yì）是十分重要的，它必須與待蝕刻材料表麵有很好的（de）附著性（xìng）、並能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩定（dìng）而不變質。而光阻通常（cháng）是一個很好的屏蔽材料，且由於其圖案轉印步驟簡單，因此常被使用。但使用（yòng）光阻作為屏蔽材料時也會發生邊緣剝離（lí）或龜裂的（de）情形。邊緣（yuán）剝離乃由於蝕刻溶液的侵蝕（shí），造成光阻與基材間的黏著性變差所致。解決的（de）方法則可使（shǐ）用黏著促進劑來增加（jiā）光（guāng）阻與基材間的黏著性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因為光（guāng）阻與基材間的應力差異太大，減緩（huǎn）龜裂的方（fāng）法可利用較具彈（dàn）性的屏蔽材質來吸收（shōu）兩者間的應力差。

蝕刻（kè）化（huà）學反應過程中所產生的氣泡常會（huì）造成蝕刻的不均勻性，氣泡留滯於基（jī）材上阻止了蝕（shí）刻（kè）溶液與待蝕刻物表（biǎo）麵的接觸，將使得蝕刻速率變慢或停滯，直到氣泡離（lí）開基材表麵。因此（cǐ）在這（zhè）種（zhǒng）情況下會在溶液中加入一些催（cuī）化（huà）劑（jì）增進蝕刻（kè）溶液與待（dài）蝕刻（kè）物表麵的接觸，並在蝕（shí）刻過程中予於攪動以加速（sù）氣泡的脫離。

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